.RU

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ - Программы и задания на 2004/2005 учебный год 4 курс


^ ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
_____________________________________________________

доцент Нияз Хатимович Талипов


  1. Зонная структура твердых тел
    металлы, полупроводники, диэлектрики. Типы кристаллических решеток. Обратная решетка, индексы Миллера. Запрещенная и разрешенные зоны, электроны и дырки, волновой вектор, закон дисперсии, анизотропия эффективной массы. Зонная структура наиболее важных полупроводников Si, Ge, GaAs. Примеси акцепторного и донорного типа, компенсация.

  2. ^ Статистика свободных носителей при тепловом равновесии
    функция распределения, уровень Ферми, плотность состояний, эффективная масса для плотности состояний, концентрация собственных носителей.

  3. ^ Свободные носители в полупроводниках
    дрейф в электрическом поле, подвижность. Рассеяние на примесях, дефектах решетки и фононах. Насыщение дрейфовой скорости. Эффект Ганна. Диффузия, соотношение Эйнштейна. Основные уравнения, описывающие движение свободных носителей.

  4. ^ Элементы планарной технологии
    Замечательные свойства системы Si-SiO2. Основные технологические приемы: рост кристаллов и пленок, создание диэлектрического покрытия (окисление), фотолитография, селективное травление, легирование (ионное и термодиффузия), металлизация, скрайбирование.

  5. ^ Контакт металл - полупроводник
    Работа выхода, зонная диаграмма, область обеднения, емкость, измерение высоты барьера. ВАХ идеального барьера Шотки. Влияние поверхности.
    Примеры: диод Шотки, варикап, полевой транзистор с барьером Шотки.

  6. p-n переход. Обратно смещенный p-n переход, зонная диаграмма, емкость, туннельный и лавинный пробой
    Пример: стабилитрон, полевой транзистор с управляющим з-т переходом.

  7. Токи в p-n переходе
    Тепловая генерация и рекомбинация. Диффузионная и дрейфовая компоненты тока. Инжекция неосновных носителей, время жизни, механизмы рекомбинации, диффузионная длина.
    Пример: диоды в интегральном исполнении.

  8. ^ Биполярный транзистор: принцип работы, основные характеристики. Пример: планарные биполярные транзисторы.

  9. Система металл-окисел-полупроводник:
    емкость, обогащение, обеднение, инверсия. Заряд в диэлектрике и на поверхности. Накопление заряда.
    Пример: приборы с зарядовой связью (ПЗС).

  10. МОП-транзистор
    Зонная диаграмма, принцип работы, устройство в планарном исполнении. Запоминающие устройства. Комплементарные МОП-схемы.

  11. ^ Новые полупроводниковые приборы
    СВЧ-транзисторы на основе структур GaAs-AlGaAs. HEMT-транзисторы: зонная диаграмма, принцип работы. Силовые полевые приборы со статической индукцией. Приборы на основе квантово-размерных структур.
Литература

  1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.

  2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Сов. радио, 1980.

  3. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Е, Введение в микроэлектронику. М.: Мир, 1988

  4. Новиков В.В. Теоретические основы микроэлектроники. М.: Высшая школа, 1972.

  5. Смит Р. Полупроводники, М.: Мир, 1982.

  6. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.

  7. Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987.

  8. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. М,: Высшая школа, 1986.

  9. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галия. М.: Мир, 1991.

  10. Ю. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. М.: Мир, 1989.

  11. Городецкий А. Ф., Кравченко А. Ф., Самойлов Е. М. Основы физики полупроводниковых приборов. Новосибирск: Наука, 1966.

  12. Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Карпенко И. В., Миронов А. Г. Сборник задач по физике полупроводников. М.: Наука, 1987.

  13. Антипов Б. Л., Сорокин В. С., Терехов В. А. Материалы электронной техники: задачи и вопросы. М.: Высшая школа, 1990.

  14. Студеникин С. А., Физические основы микроэлектроники в вопросах и задачах. Новосибирск: НГУ, 1995.
Программа семинарских занятий
Нияз Хатимович Талипов

1. Кристаллическая решетка

1.1. Сколько атомов приходится на элементарную ячейку и чему равно координационное число в кристаллических структурах простой кубической, ОЦК и ГЦК?

1.2. Основываясь на характеристиках кристаллической структуры типа алмаза, рассчитайте следующие параметры кремния (а=0,543 нм)

а) число атомов, содержащихся в элементарной ячейке и координационное число

б) атомный радиус структуры (длину отрезка, соединяющего два ближайших узла)

в) число атомов, приходящихся на единицу площади в кристаллических плоскостях (111), (100) и (110). (Три указанные здесь плоскости существенны для технологии полупроводниковых приборов.)

1.3. Доказать, что плоскость с миллеровскими индексами (hkl) отсекает на осях координат отрезки, пропорциональные а/h, b/k, c/l.

1.4. Доказать свойства векторов обратной решетки:

1) Вектор обратной решетки Khkl перпендикулярен плоскости с миллеровскими индексами (hkl) прямой решетки.

2) Межплоскостное расстояние dhkl для семейства плоскостей (hkl) в прямой решетке равно dhkl= 2Khkl.

Вычислить межплоскостное расстояние для плоскостей (111), (321) простой кубической решетки с параметром а.

1.5. Предположим, что каждый атом в кристаллической решётке представляет собой твёрдый шар, такой, что поверхности шаров, соответствующих ближайшим соседним атомам, соприкасаются. Найдите относительную долю объёма элементарной ячейки, занятую атомами, если кристаллическая решётка: а) простая кубическая, б) объемноцентрированная кубическая, в) гранецентрированная кубическая, г) типа алмаза.

1.6. Показать, что для гранецентрированной кубической решётки обратная решётка –

объёмноцентрированный куб и, наоборот.

1.7. Показать, что объём элементарной ячейки обратной решётки , где - объём ячейки элементарной ячейки в прямом пространстве.

1.8. Изобразить плоскости (331), (32) простой кубической решетки.


1.9. Изобразить решетку алмаза, выделить ковалентные связи в решетке.

1.10. Изобразить три первые зоны Бриллюэна двумерной обратной решетки, являющейся центрированным квадратом, показать, что их объемы равны.

1.11. Найти связь между дифракцией электронных волн ( условие дифракции Вульфа-Брэгга) и обратной решеткой (вывести условие дифракции через вектор обратной решетки)

2. Зонная структура полупроводников

2.1. Вычислить собственные значения и собственные функции оператора трансляции идеального бесконечного кристалла (теорема Блоха).

2.2. Используя модель КронигаПени, рассчитать зонный спектр электрона в одномерной кристаллической решетке (параметры в и с задает преподаватель).

2.3. Показать, что электронная волна в линейной цепочке атомов с периодом а может распространяться только при значениях волнового вектора



Изобразить закон дисперсии электрона в одномерном кристалле и объяснить его.

2.4. Рассчитать вероятность (T) туннелирования электрона с энергией Е через потенциальный барьер высотой V0 и толщиной d (E < V0).

2.5 Получить выражение для определения ширины запрещенной зоны полупроводника из температурной зависимости проводимости.

2.6. Определить характер энергетического спектра носителей заряда в полупроводнике, помещенном в постоянное электрическое поле ..

2.7. Рассчитать вероятность (T) образования электроннодырочной пары в электрическом поле , используя результаты задач 2.5, 2.6 и модель туннелирования электрона через треугольный барьер. Вычислить величину . для Si, Ge и GaAs при Т = 1.

2.8. Вывести выражение для определения эффективной массы носителей заряда из экспериментов по циклотронному резонансу (изотропный случай). Нарисовать зависимости энергии, групповой скорости и обратной эффективной массы электронов от волнового вектора в первой зоне Бриллюэна одномерной решетки, используя выражение .

2.9. Изобразить изоэнергетические поверхности в Si, Ge и GaAs в проекции на плоскость kxky. Где больше эффективная масса электрона в Ge и GaAs: в направлении k[111] или k[100] относительно изоэнергетической поверхности?

2.10. Найти связь между ускорением электрона в кристалле и внешней силой.

2.11. Рассчитать граничную длину волны излучения, необходимую для фотогенерации электронно-дырочных пар в Ge, Si и GaAs. Изобразить переходы на зонной диаграмме данных полупроводников, рассчитать величину изменения волнового вектора электрона и величину волнового вектора фотонов, вызывающего переход, сопоставить и объяснить различие.

^ 2.12 Используя условия цикличности Борна – Кармана определить число квантовых состояний электрона Ndk в элементе объема dk зоны Бриллюэна, рассчитанное на единицу объема кристалла.

3. Статистика свободных носителей при тепловом равновесии

3.1. Используя водородоподобную модель рассчитать энергию залегания примесных уровней и боровский радиус связанного электрона в Ge, Si и GaAs.

3.2. Вывести выражение для плотности состояний N(E) в случае изотропного закона дисперсии.

3.3. Определить уровень (энергию) Ферми EF в зоне проводимости для вырожденного электронного газа (изотропный случай). Рассчитать EF зависимости от концентрации электронов в интервале n = 1015 - 1022 см –3 (построить график).

3.4. В вырожденном полупроводнике уровень Ферми находится в зоне проводимости. Используя интеграл Ферми, определить энергию Ферми вырожденного электронного газа. Сравнить полученный результат с результатом задачи 3.3.

3.5. Рассчитать температурные зависимости: эффективной плотности состояний Nc, Nv (в см3), уровня Ферми EF (в эВ) и концентрации ni (в см3) для собственных Si, Ge и GaAs в интервале Т = 200700 К. В расчетах обязательно учесть температурную зависимость ширины запрещенной зоны.

Указание. Построить графики для каждого параметра; собственную концентрацию строить в логарифмическом масштабе от обратной температуры. Каждый параметр для Si, Ge и GaAs выводить в едином масштабе на один рисунок.

3.6. Показать, что для невырожденного полупроводника равновесные концентрации электронов и дырок связаны с собственной концентрацией следующими выражениями:



3.7. Найти связь концентрации электронов в полупроводнике с уровнем Ферми, если известно, что при малых значениях k закон дисперсии имеет вид



Указание. Отсчет энергии Е вести от края ЗП. Разложить функцию k2(E) по малому параметру.

3.8. Доказать, что в полупроводнике n- типа



где nn и pn - концентрация основных и неосновных носителей соответственно.

3.9. Используя зонную диаграмму GaAs и параметры электронов в Г- и L- долинах , найти зависимость уровня Ферми от концентрации и рассчитать отношение концентраций электронов в основном и дополнительном минимумах при Т = 300 К. При какой температуре они выровняются и возможно ли это достигнуть реально?

3.10. Получить выражения для температурной зависимости уровня Ферми и концентрации

носителей заряда в примесных полупроводниках (n и pтипа). Рассмотреть случаи низких и высоких температур.

3.11. Рассчитать и построить температурные зависимости уровня Ферми (в эВ) и концентрации носителей заряда (в см3) в Si, Ge и GaAs, легированных либо донорными, либо акцепторными примесями с концентрацией 51014, 1016 и 1017 см3 (тип примеси задает преподаватель). Определить температуру, при которой происходит истощение примеси и температуру перехода к собственной проводимости. При какой температуре ионизована половина примеси и 95% примеси?

Указание. Зависимость концентрации от обратной температуры строить в логарифмическом масштабе.

4. Свободные носители в полупроводниках

4.1. Используя распределение Максвелла-Больцмана получить выражение для средней тепловой скорости электронов и плотности потока носителей через плоскость, обусловленную тепловым движением. Рассчитать среднюю тепловую скорость электронов в Si, Ge и GaAs при Т = 300 К.

4.2. Вычислить удельное сопротивление () собственных Si, Ge и GaAs.

4.3. Получить выражения для амбиполярного коэффициента диффузии (Damb), амбиполярной подвижности (amb), максвелловского времени релаксации (M) и дебаевской длины экранирования (LD) в полупроводниках. Вычислить данные параметры для Si, Ge и GaAs, легированных донорной примесью с концентрацией 1015 см3.

4.4. Рассчитать разность потенциалов между освещенной и неосвещенной частями Si, Ge и GaAs n-типа с удельным сопротивлением  = 10 Омсм в отсутствие поверхностной рекомбинации, если темп поверхностной фотогенерации gs = 1015 см-2с-1. Толщина образца d много больше диффузионной длины неосновных носителей. Lp= 0,1 см.

4.5. В однородный полубесконечный полупроводник при x = 0 стационарно инжектируются дырки. Определить концентрацию введеных дырок при x = 0, если коэффициент инжекции (отношение дырочного тока к полному току)  = 0,5, полная плотность тока j = 1,6 мА/см2, Lp = 0,1 см, Dp = 50 см2/с. Дрейфом пренебречь.

4.6. Легированные фосфором c Nd = 51014 и 11017 см-3 пластины Si и Ge, толщиной 300 мкм, находятся в вакуумной камере на теплоизолирующем держателе. Вычислить приложенное напряжение к пластинам (контакты расположены на нижней и верхней плоскостях пластин), при котором начинается тепловой пробой, то есть достигается температура, соответствующая собственной проводимости.

Указание. В расчетах использовать результаты задачи 3.11.

4.7. Найти распределение неравновесных дырок в длинном нитевидном образце Ge n-типа при стационарной инжекции дырок в точке и при наличии электрического поля 5 В/см вдоль образца. Температура комнатная, полупроводник невырожден, Lp = 0,09 см.

4.8. Вычислить максимальную рабочую частоту МОП-транзистора c каналом n- и р-типа на Si, Ge и GaAs. Длина канала L = 1 мкм. Напряжение исток-сток - 1 В. Фактор рассеяния (отношение подвижности носителей в объеме полупроводника к подвижности в канале, обусловленное наличием поверхности) носителей в канале равен 2. Что ограничивает рабочую частоту данных приборов?

4.9. Вычислить время пролета носителей через базу биполярных п-р-п и p-n-p транзисторов, то есть время, которое требуется неосновным носителям, чтобы пересечь область базы толщиной Wб вследствие диффузии. Считать базу тонкой, то есть Wб << Ln., Lp . Сопоставить результаты для приборов, изготовленных на Si, Ge и GaAs с толщиной базы 5 мкм.


4.10. Имеется образец Ge в форме параллелепипеда размером 10,20,1 см и концентрацией легирующей примеси 1016 см-3. Вдоль образца приложено напряжение 10 В. Перпендикулярно направлению тока действует магнитное поле с индукцией 0.5 Тл. Вычислить напряжение Холла между контактами к узким сторонам боковой поверхности образца.

4.11. Определить напряженность электрического поля, при котором электрон за время свободного пробега приобретает кинетическую энергию , достаточную для перевода его из Г-долины в верхнюю L-долину GaAs (вся энергия приобретается при движении в нижней Г-долине).

4.12. Рассчитать температурную зависимость проводимости GаАs в предположении постоянства времени релаксации в Г- и L- долинах и независимости подвижности от Т (учесть зависимость Eg(T) и ni(T)). Концентрация донорной примеси ND= 11016 и 51016 см3.

5. Контакт металл-полупроводник, п-р переход

Указание. Ко всем задачам необходимо изображать зонные диаграммы.

5.1. Рассчитать толщину ОПЗ в Si (q=4,05 эВ) п-типа с ND = 11015 cм3 в зависимости от толщины зазора d между металлом (Pt, qФМ=5,7 эВ) и полупроводником. Рассмотреть предельные случае большого и очень малого зазора.

5.2. Определить зависимости электрического поля (x) и потенциала (x) в обогащенном приповерхностном слое Si п-типа и его толщину при ND = 1016 см3. Показать, что половина объемного заряда в омическом контакте Шотки располагается на глубине до от поверхности.

Указание. Длину Дебая определять от концентрации электронов ns вблизи поверхности.

5.3. Определить длину Дебая LD для собственного полупроводника.

5.4. Вычислить и нарисовать зависимости толщины обедненного слоя, электрического поля, заряда и емкости от обратного напряжения в диапазоне V= 0 - 20 В для Au/п-тип Si диода Шотки. Считать ND = 1014, 1016 и 1018 см3. (qФМ= 5,1 эВ, q = 4,05 эВ). Определить зависимость ФS(ND).

Построить ВАХ диода с учетом эффекта Шотки. Провести сравнение диффузионной и диодной теории барьера Шоттки.

5.5. Как диоды с барьером Шотки, так и омические контакты cформированы напылением Al на поверхность Si. (qФМ = 4,3 эВ, q = 4,05 эВ). Для идеального соответствия теории Шотки найти допустимый диапазон концентраций в случае каждого типа контакта. Рассмотреть области, легированные примесями как р- , так и п-типа. Найти толщину ОПЗ для ND = 1016 см3.

5.6. Построить зонные диаграммы контакта металлполупроводник p-типа в равновесии, при прямом и обратном смещениях. Рассмотреть случаи ФМ>Фs и ФМ<Фs.

5.7. Показать, что при контакте металла с полупроводником ртипа (ФМ<ФS(p)) высоту барьера Шотки можно определить из выражения

.

Найти зависимость тока насыщения j0 от уровня легирования NA. Рассчитать j0 для Si c NA=11016 см3.

Указание. Учесть, что при обратном смещении ток термоэлектронной эмиссии из полупроводника в металл не изменяется и равен току насыщения j0.

5.8. Нарисовать зонную диаграмму Si диодапрототипа с алюминиевыми контактами к n+ и p+областям в равновесии.

5.9. В приближении обеднения рассчитать контактную разность потенциалов (Vi) , зависимости электрического поля (x), потенциала (x), толщину ОПЗ (Wd), емкость при обратном смещении С(Vобр). Нарисовать зависимости.(x), (x) и С(Vобр). Как экспериментально можно определить Vi?

5.10. Рассчитать контактную разность потенциалов симметричного п-р перехода при Т = 50 и 300 К для Si и Ge, в которых n- и р-области легированы, соответственно, фосфором и бором с концентрацией 1015 см3.

5.11. Рассчитать величину пробивного несимметричного п-р перехода в зависимости от величины критического электрического поля проб., при котором наступает пробой.

5.12. Построить ВАХ симметричного Siдиода в зависимости от уровня легирования (выбрать любые четыре значения в интервале 10171019 см3) с учетом туннельного пробоя. Диффузионные длины электронов и дырок принять равными 0,1 см.

Указание. Использовать результаты задачи 2.7.

6. Система металл  окисел – полупроводник

6.1. Построить зонные диаграммы неидеальной МОП-структуры в случае подложки p-типа в равновесии и в режиме плоских зон (рассмотреть оба случая равновесного состояния  обогащения и обеднения).

6.2. Построить зонные диаграммы идеальной МОП-структуры в случае подложки n-типа при приложении внешнего напряжения (рассмотреть три состояния).

6.3. Найти напряжение плоских зон, пороговое напряжение и емкость МОП–структуры с затвором из Al (qФМ=4,3 эВ) и Si n-типа с ND= 31015 см3. Толщина диоксида кремния dox=100 нм ((SiO2) = 4). Построить вольт-фарадные (ВЧ) характеристики в случае отсутствия и наличия встроенного заряда в диэлектрике (положительного и отрицательного).

6.4. МОП-структура (Qox=0) имеет подложку из кремния р-типа с концентрацией Na = 1015 см3. Толщина окисла - 0,2 мкм, затвор - алюминиевый. Приложенное к затвору напряжение создает обедненную область толщиной 0,65 мкм. За счет эффекта обеднения на поверхности полупроводника создается электрическое поле напряженностью 104 В/см. Вычислить: а) поверхностный потенциал; б) напряжение на затворе; в) пороговое напряжение, учитывая, что плотность индуцированного подвижного заряда равна нулю; г) емкость при малых сигналах и на высоких частотах в режиме сильной инверсии.

6.5. Оценить число электронов в канале МОПтранзистора с длиной канала 0,2 мкм и шириной 2 мкм при напряжении VG=1,5 В. (dox=10 нм, (SiO2) = 4).

6.6. В окисле на границе раздела системы окисел - полупроводник имеется некоторый фиксированный заряд Qs. Примесь в объеме полупроводника полностью ионизована. Найти и построить зависимость заряда Qs от поверхностного потенциала.

6.7. Рассчитать ВАХ МОП-транзистора.

Таблица 1

estestvoznanie-chast-4.html
estestvoznanie-i-religiya-konflikt-ili-rozhdenie-novoj-paradigmi.html
estestvoznanie-proshlo-tri-stadii-i-vstupilo-v-chetvertuyu-1-stadiya-drevnegrecheskoj-naturfilosofii-stranica-2.html
estestvoznanie-v-epohu-srednevekovya.html
esteticheskaya-hirurgicheskaya-konturnaya-plastika-tela-14-01-17-hirurgiya-stranica-2.html
esteticheskaya-volya-alfred-rozenberg.html
  • znaniya.bystrickaya.ru/referat-na-temu-obraz-starogo-russkogo-goroda-v-tvorchestve-a-lentulova.html
  • klass.bystrickaya.ru/aukcion-otkritij-po-sostavu-uchastnikov-zakritij-po-forme-podachi-predlozhenij-o-cene-v-zapechatannom-konverte-aukcion-sostoitsya.html
  • turn.bystrickaya.ru/perifericheskie-komponenti-centralnoj-nervnoj-sistemi-primernaya-programma-disciplini-fiziologiya-rekomenduetsya.html
  • nauka.bystrickaya.ru/uchebno-metodicheskij-kompleks-po-specialnosti-060500-buhgalterskij-uchet-analiz-i-audit-kirov.html
  • pisat.bystrickaya.ru/svedeniya-o-fizicheskoj-kulture-i-sporte-na-31-dekabrya-2010-g-kompleks-uprazhnenij-proizvodstvennoj-gimnastiki.html
  • lesson.bystrickaya.ru/obyavlenie-o-prieme-dokumentov-dlya-uchastiya-v-konkursah-na-vklyuchenie-v-kadrovij-rezerv.html
  • portfolio.bystrickaya.ru/osnovnaya-obrazovatelnaya-programma-oop-bakalavriata-realizuemaya-universitetom-po-napravleniyu-podgotovki-15-03-04-avtomatizaciya-tehnologicheskih-processov-i-proizvodstv.html
  • upbringing.bystrickaya.ru/kursovaya-rabota-po-ekonomike-predpriyatiya-na-temu-metodicheskie-osnovi-opredeleniya.html
  • reading.bystrickaya.ru/lekciya-11-razdel-upravlenie-predpriyatiem-na-osnove-koncepcii-processnogo-podhoda.html
  • laboratornaya.bystrickaya.ru/raspisanie-zanyatij-3-kursa-farmacevticheskogo-fakulteta.html
  • tests.bystrickaya.ru/krasko-m-g-direktor-departamenta-truda-i-socialnoj-zashiti-naseleniya-hanti-mansijskogo-avtonomnogo-okruga-yugri-stranica-5.html
  • learn.bystrickaya.ru/glava-sto-trinadcataya-pyatdesyat-devyataya.html
  • ekzamen.bystrickaya.ru/rekomendacii-po-horoshej-praktike-devid-holl-i-emanyuel-lobina.html
  • exchangerate.bystrickaya.ru/boks.html
  • student.bystrickaya.ru/262regulyaciya-formoobrazovaniya-v-individualnom-razvitii-i-i-sh-m-algauzen-izbrannie-trudi-organizm-kak-celoe.html
  • abstract.bystrickaya.ru/15-vivodi-po-obzoru-n-v-dorshakova-2009-g.html
  • paragraph.bystrickaya.ru/metodicheskie-rekomendacii-po-organizacii-deyatelnosti-predmetnoj-komissii-po-fizike.html
  • kanikulyi.bystrickaya.ru/zaklyuchenie-antivirusnij-kompleks-51-kompleksnaya-sistema-zashiti-informacii-54-obshie-svedeniya-64-vozmozhnie-shemi.html
  • predmet.bystrickaya.ru/sabati-tairibi-lorenc-ksh-magnit-rsndeg-zaryadtalan-blshekterd-ozalisi.html
  • school.bystrickaya.ru/1-nabrosok-otdelnih-punktov-prakticheskoj-chasti-proekta-programmi-sobranie-sochinenij-pechataetsya-po-postanovleniyu.html
  • institute.bystrickaya.ru/f-7-810-ed-hr-1936-2004-gg-op-1-2-otdel-arhivnoj-sluzhbi-administracii-chulimskogo-rajona-novosibirskoj-oblasti.html
  • obrazovanie.bystrickaya.ru/povishenie-energoeffektivnosti-sistem-ohlazhdeniya-gaza-na-kompressornih-stanciyah.html
  • assessments.bystrickaya.ru/chast-pervaya-teoreticheskaya-kniga-rukovodstvo-predstavlyaet-soboj-horosho-razrabotannij-povedencheskij-trening-dlya.html
  • prepodavatel.bystrickaya.ru/tablica-201-a-s-chechetkin-buhgalterskij-uchet-v-selskom.html
  • znaniya.bystrickaya.ru/propala-sovest.html
  • books.bystrickaya.ru/dnevnik-uzhe-20-iyulya-noch-130-strugackij-otyagoshennie-zlom-ili-sorok-let-spustya.html
  • apprentice.bystrickaya.ru/vospitanie-i-razvitie-personala-na-primere-funkcionirovaniya-muz-gorodskaya-bolnica-5.html
  • uchitel.bystrickaya.ru/rabochaya-programma-uchebnoj-disciplini-ekonomika-specialnost-101101-gostinichnij-servis.html
  • lecture.bystrickaya.ru/90-predmet-teorii-prava-i-gosudarstva-voprosi-i-otveti.html
  • nauka.bystrickaya.ru/upravlenie-obshestvom-osnovnaya-funkciya-gosudarstva-sbornik-statej-za-2010-god-sostavitel.html
  • assessments.bystrickaya.ru/dejstvie-reglamenta-ne-rasprostranyaetsya-na-voprosi-obrasheniya-s-radioaktivnimi-othodami.html
  • uchitel.bystrickaya.ru/psihofizicheskaya-trenirovka.html
  • shkola.bystrickaya.ru/metodicheskie-rekomendacii-po-provedeniyu-taktiko-specialnogo-zanyatiya-s-soversheniem-marsha-obshie-polozheniya.html
  • testyi.bystrickaya.ru/4-plan-gruppovih-zanyatij-uchebno-metodicheskij-kompleks-istoriya-filosofii-specialnost-03-1801.html
  • paragraph.bystrickaya.ru/madridskaya-sistema-ili-procedura-071401-socialno-kulturnaya-deyatelnost.html
  • © bystrickaya.ru
    Мобильный рефератник - для мобильных людей.